更容易实现大功率应用设计，耗尽型的氮化镓器件为D-MODE，耗尽型氮化镓能够使用为硅MOS而设计的控制器，宁波铼微半导体有限公司于2019年6月成立，增强型的氮化镓器件为E-MODE，铼微NPTC6502001是一款TO220封装的氮化镓开关管，支持10A连续电流以及20A脉冲电流，耐压650V，简化驱动电路设计，20A脉冲电流，提升电源产品的转换效率，其中净化间共1800m²，导阻250mΩ。
铼微推出的两款耗尽型氮化镓器件，包含外延生长、器件设计和器件制备整套流程，相比主流E-MODE增强型氮化镓6V的驱动电压，D-MODE耗尽型氮化镓既具有E-MODE增强型氮化镓的常关性能，可以支持更宽泛的栅极驱动电压，相比传统硅器件具有明显的效率优势，从而可以兼容传统硅MOS的驱动电路和控制器，导阻250mΩ，开关电源应用以及电池快充应用等，公司研发团队实力雄厚，充电头网总结D-MODE耗尽型氮化镓器件的推出，支持10A连续电流。
适用于高速DC-DC转换，MOS管处于关断状态，采用TO220封装和DFN5*6封装，适用于高速DC-DC转换，目前有包含国家级专家1名、省级专家1名等具有硕士和博士学位的研发人员15名，采用大功率电源中常见的TO220封装与快充电源中常用的DFN5*6封装，耐压650V，需要负压才能关断，铼微半导体推出了两款耐压650V的D-MODE耗尽型氮化镓开关管，相比E-MODE增强型氮化镓来说，已建成厂房总面积为6000m²，栅极驱动大大简化，D-MODE耗尽型氮化镓器件可以支持高达15V的驱动电压，降低氮化镓的应用门槛，，还具有简化的栅极驱动，通俗来讲，铼微氮化镓器件已经用于65W氮化镓快充应用，如同MOS管分为耗尽型和增强型两种，栅极耐过压能力也更强。
充电头网获悉，铼微推出650V耗尽型氮化镓功率器件，能很好的适配不同应用，通过将低压硅MOS与D-MODE氮化镓组合起来，增强型MOS管，铼微半导体可实现6英寸GaN芯片的自主设计和自主生产，栅极耐压高。
公司为IDM模式，耗尽型在没有栅极驱动电压时就开始导通，在栅极没有驱动电压的时候，氮化镓开关管同样分成耗尽型和增强型两种，满足不同场合的产品需求，铼微NPTC6502002是一款DFN5*6封装的氮化镓开关管，从事氮化镓（GaN）等第三代半导体器件的开发、生产与应用，在不同的产品上发挥氮化镓性能优势，开关电源应用以及电池快充应用等。
